Ion Implantation Using Plasma Sheath
플라즈마 쉬스 (Sheath)를 이용한 이온 주입법
조무현;
포항공과대학 물리학과 산업과학기술연구소 물리연구소;
한국표면공학회지, Vol. 23, No. 1, pp. 1-7.
DOI :
Metal-Organic Vapor Epitaxt : A Review I. Compound Semiconductors, devices, and epitaxies
MOVPE 단결정층 성장층 성장법 I. 화합뭉 반도체 재료, 전자소자 및 단결정층 성장법
정원국;
성균관 대학교 재료 공학과;
한국표면공학회지, Vol. 23, No. 1, pp. 8-15.
DOI :
김병옥;방병옥;윤병하;
경북대학교 공과대학 금속공학과;경북대학교 공과대학 재료공학과;
한국표면공학회지, Vol. 23, No. 1, pp. 16-26.
DOI :
A Thermodynamic Analysis on Silicon Consumption during The Chemical Vapper Deposition of Tungsten
텅스텐의 화학증착시 Si소모에 관한 열역학적 분석
정태희;이정중;
서울대학교 공과대학 금속공학과;
한국표면공학회지, Vol. 23, No. 1, pp. 27-33.
DOI :
A Study on the Charactristics od Hard Anodizing fikm of Al-Si Pistom Alloys
Al-Si계 피스톤 합금의 경질양극산화피막의 특성에 관한 연구
문종환;이진형;권혁상;
충남대학교 금속공학과;한국과학기술원 재료공학과;
한국표면공학회지, Vol. 23, No. 1, pp. 34-43.
DOI :
A Study on the High Temperature Tensile Properties of Hyderiedrided Zircaloy-4
수소화시킨 지르칼로이-4의 고온인장성질에 관한 연구
조열래;정해용;김인배;
부산대학교 공과대학 금속공학과;
한국표면공학회지, Vol. 23, No. 1, pp. 44-51.
DOI :
Priniciple and Applications of RBS[I]
RBS의 원리와 그응용(I)
황정남;송종환;
연세대학교 이과대학 물리학과;
한국표면공학회지, Vol. 23, No. 1, pp. 52-58.
DOI :